【影音】成大半導體學院晶體研究中心啟動 突破 SiC 技術創新半導體與雷射產業優勢 (01:53)
影片標題:【影音】成大半導體學院晶體研究中心啟動 突破 SiC 技術創新半導體與雷射產業優勢
影片說明:台灣半導體材料技術再突破,國立成功大學「晶體研究中心」今(2025)年正式啟動,(26)日上午在成大南科台達大樓舉行開幕典禮。成大晶體研究中心是目前國內唯一具備超高溫(2300°C以上)大尺寸碳化矽(SiC)晶體生長技術的學術機構。未來該中心將攜手全球產業夥伴,加速技術轉移,推動 SiC 與氧化鎵(Ga₂O₃)材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用,提升台灣在全球市場的競爭力。
影片分類:校園新聞
上傳時間:2025-02-27 16:14:49
上傳者: 秘書室新聞中心
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